MMBT8550-C - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBT8550-C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT8550-C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT8550-C

 

MMBT8550-C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  pjsemi
 mmbt8550-c mmbt8550-d.pdf pdf_icon

MMBT8550-C

MMBT8550 PNP Transistor Features SOT-23 (TO-236) For Switching and Amplifier Applications. As Complementary Type of the NPN Transistor MMBT8050 is Recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 40 V CBO Collector Emitter Voltage

 6.1. Size:814K  semtech
 mmbt8550c mmbt8550d.pdf pdf_icon

MMBT8550-C

MMBT8550(1.5A) PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. As complementary type the NPN transistor MMBT8050 (1.5A) is recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Bas

 6.2. Size:332K  topdiode
 mmbt8550.pdf pdf_icon

MMBT8550-C

Tel/Fax +86 (0)769 82827329 Skype topdiode Email info@topdiode.com Website www.topdiode.com Tel/Fax +86 (0)769 82827329 Skype topdiode Email info@topdiode.com Website www.topdiode.com

 6.3. Size:131K  wej
 mmbt8550lt1.pdf pdf_icon

MMBT8550-C

RoHS MMBT8550LT1 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-23 3 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE 1 RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 2 Complement to MMPT8050LT1 1. 1.BASE Collector-current Ic=-500mA 2.EMITTER High Total Power Dissipation Pc=225mW 2.4 3.COLLECTOR 1.3 Unit mm o ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Symbol Rating Unit Characteristic Collector-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD965ASQ-R , 2SD965ASQ-S , BCX53SQ-10 , BCX53SQ-16 , MMBT8050-C , MMBT8050C-1.5A , MMBT8050-D , MMBT8050D-1.5A , A1015 , MMBT8550-D , MMBT9012G , MMBT9012H , MMBT9013-G , MMBT9013-H , MMBT9015-B , MMBT9015-C , MMBT9015-D .

 

 
Back to Top

 


 
.