MMBT9012G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT9012G  📄📄 

Маркировка: K2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT9012G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT9012G даташит

 ..1. Size:173K  semtech
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012G

MMBT9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O

 ..2. Size:1743K  pjsemi
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012G

MMBT9012 PNP Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications. Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector 3.Collector Marking Code MMBT9012G K2 1.Base MMBT9012H K3 2. Emitter . Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 40 V CBO Collec

 0.1. Size:175K  utc
 mmbt9012g-d mmbt9012g-e mmbt9012g-f mmbt9012g-g mmbt9012g-h mmbt9012g-i.pdf pdf_icon

MMBT9012G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9012 PNP SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 3 FEATURES 1 2 *High total power dissipation. (625mW) SOT-23 *High collector current. (-500mA) (JEDEC TO-236) *Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package P

 6.1. Size:98K  utc
 mmbt9012.pdf pdf_icon

MMBT9012G

UTC MMBT9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION FEATURES 2 *High total power dissipation. (625mW) 1 *High collector current. (-500mA) *Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 3 MARKING 12 SOT-23 1 EMITTER 2 BASE 3 COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C, unless otherwise specifie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCX53SQ-10, BCX53SQ-16, MMBT8050-C, MMBT8050C-1.5A, MMBT8050-D, MMBT8050D-1.5A, MMBT8550-C, MMBT8550-D, BD140, MMBT9012H, MMBT9013-G, MMBT9013-H, MMBT9015-B, MMBT9015-C, MMBT9015-D, MMBTSC1623-L4, MMBTSC1623-L5