Биполярный транзистор MMBT9012G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT9012G
Маркировка: K2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(typ) MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBT9012G
MMBT9012G Datasheet (PDF)
mmbt9012g mmbt9012h.pdf
MMBT9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C O
mmbt9012g mmbt9012h.pdf
MMBT9012 PNP Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications.Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector3.CollectorMarking Code : MMBT9012G : K2 1.BaseMMBT9012H : K32. Emitter.Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -V 40 VCBOCollec
mmbt9012g-d mmbt9012g-e mmbt9012g-f mmbt9012g-g mmbt9012g-h mmbt9012g-i.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9012 PNP SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 3 FEATURES 12*High total power dissipation. (625mW) SOT-23*High collector current. (-500mA) (JEDEC TO-236)*Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package P
mmbt9012.pdf
UTC MMBT9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION FEATURES 2*High total power dissipation. (625mW) 1*High collector current. (-500mA) *Excellent hFE linearity *Complementary to UTC MMBT9013 3MARKING 12SOT-231: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C, unless otherwise specifie
mmbt9012h-h35.pdf
MMBT9012H-H35 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWJunction Temperature Tj 150
mmbt9012h-h23.pdf
MMBT9012H-H23 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C
mmbt9012lt1.pdf
RoHS MMBT9012LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2331W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE1RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION21.1.BASE Complement to 9013G2.EMITTER Collector Current :Ic=-500mA2.43.COLLECTOR1.3 High Total Power Dissipation Pc=225mW Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage VCBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
