2SA2154CT-Y - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SA2154CT-Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SA2154CT-Y
   Маркировка: 8F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: CST3

 Аналоги (замена) для 2SA2154CT-Y

 

2SA2154CT-Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  toshiba
 2sa2154ct-y 2sa2154ct-gr.pdf pdf_icon

2SA2154CT-Y

2SA2154CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA2154CT General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current V = -50V, I = -100mA (max) CEO C Unit mm Excellent h linearity FE h (I = -0.1 mA) / h (I = -2 mA)= 0.95 (typ.) FE C FE C High h h = 120 to 400 FE FE Complementary to 2SC6026CT Absolute Maximum Ratings

 5.1. Size:151K  toshiba
 2sa2154ct.pdf pdf_icon

2SA2154CT-Y

2SA2154CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA2154CT General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -100mA (max) Unit mm 0.6 0.05 Excellent hFE linearity 0.5 0.03 hFE (IC = -0.1 mA) / hFE (IC = -2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 Complementary to 2SC6026CT Absolute M

 7.1. Size:151K  toshiba
 2sa2154mfv.pdf pdf_icon

2SA2154CT-Y

2SA2154MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA2154MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current 0.80 0.05 VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) Excellent hFE linearity 1 hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 400 Complementary to 2SC6026MFV 3

 7.2. Size:145K  toshiba
 2sa2154.pdf pdf_icon

2SA2154CT-Y

2SA2154 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA2154 General-Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = -50 V, IC = -100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 400 1 Complementary to 2SC6026 3 2 0.8 0.05 0.1 0.05 1.0 0.05 Ab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1588-O , 2SA1588-Y , 2SA1721O , 2SA1721R , 2SA1832GR , 2SA1832O , 2SA1832Y , 2SA2154CT-GR , A1013 , 2SC2713-BL , 2SC2713-GR , 2SC3138-O , 2SC3138-Y , 2SC4117BL , 2SC4117GR , 2SC4213-A , 2SC4213-B .

 

 
Back to Top

 


 
.