HN1B04FE-Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1B04FE-Y

Маркировка: 1DY

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ES6

 Аналоги (замена) для HN1B04FE-Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1B04FE-Y даташит

 ..1. Size:339K  toshiba
 hn1b04fe-y hn1b04fe-gr.pdf pdf_icon

HN1B04FE-Y

HN1B04FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1B04FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 to 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage

 6.1. Size:313K  toshiba
 hn1b04fe.pdf pdf_icon

HN1B04FE-Y

HN1B04FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1B04FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage and

 7.1. Size:297K  toshiba
 hn1b04f.pdf pdf_icon

HN1B04FE-Y

HN1B04F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B04F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1 Excellent hFE linearity hFE(2) = 25 (min) at VCE = -6V, IC = -400mA Q2 Excellent hFE linearity hFE(2) = 25 (min) at VCE = 6V

 7.2. Size:390K  toshiba
 hn1b04fu.pdf pdf_icon

HN1B04FE-Y

HN1B04FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1B04FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current V = 50V, I = 150mA (max) CEO C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity FE h (I = 0.1mA) / h (I = 2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Q2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5066Y, 2SC5084O, 2SC5084Y, 2SC6026MFV-GR, 2SC6026MFV-Y, HN1A01FE-GR, HN1A01FE-Y, HN1B04FE-GR, BC639, 2N25550, 2N25551, 2SA1015G, 2SA1015O, 2SA1015Y, 2SA733L, 2SA733O, 2SA733Y