8050E - описание и поиск аналогов

 

8050E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 8050E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12(typ) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 8050E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

8050E - технические параметры

 ..1. Size:134K  semtech
 8050b 8050c 8050d 8050e.pdf pdf_icon

8050E

8050 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into four groups, B, C, D and E, according to its DC current gain. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit

 0.1. Size:316K  fairchild semi
 fdms8050et30.pdf pdf_icon

8050E

January 2015 FDMS8050ET30 N-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 423 A, 0.65 m Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to Extended TJ rating to 175 C improve the overall efficiency and to minimize switch node Max rDS(on) = 0.65 m at VGS = 10 V, ID = 55 A ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM

 0.2. Size:220K  cn weida
 ss8050b ss8050c ss8050d ss8050e.pdf pdf_icon

8050E

Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd. SS8050 NPN General Purpose Transistors TO-92 P b Lead(Pb)-Free 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS(TA=25 C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit VCBO 40 Collector-Base Voltage V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V Collector Current-Continuous IC A 1.5 Total Device Dissipation

Другие транзисторы... 2SA733O , 2SA733Y , 2SC1815G , 2SC4379U-O , 2SC4379U-Y , 2SC4672U-H4031 , 8050B , 8050D , B647 , 8050U-C , 8050U-D , 8550B , 8550D , 8550E , 9012I , 9013I , 9014A .

 

 
Back to Top

 


 
.