8050E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 8050E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 typ pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 8050E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

8050E даташит

 ..1. Size:134K  semtech
 8050b 8050c 8050d 8050e.pdf pdf_icon

8050E

8050 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into four groups, B, C, D and E, according to its DC current gain. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit

 0.1. Size:316K  fairchild semi
 fdms8050et30.pdf pdf_icon

8050E

January 2015 FDMS8050ET30 N-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 423 A, 0.65 m Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to Extended TJ rating to 175 C improve the overall efficiency and to minimize switch node Max rDS(on) = 0.65 m at VGS = 10 V, ID = 55 A ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM

 0.2. Size:220K  cn weida
 ss8050b ss8050c ss8050d ss8050e.pdf pdf_icon

8050E

Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd. SS8050 NPN General Purpose Transistors TO-92 P b Lead(Pb)-Free 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS(TA=25 C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit VCBO 40 Collector-Base Voltage V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V Collector Current-Continuous IC A 1.5 Total Device Dissipation

Другие транзисторы: 2SA733O, 2SA733Y, 2SC1815G, 2SC4379U-O, 2SC4379U-Y, 2SC4672U-H4031, 8050B, 8050D, B647, 8050U-C, 8050U-D, 8550B, 8550D, 8550E, 9012I, 9013I, 9014A