MRF1000MA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF1000MA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: CASE332-04

 Аналоги (замена) для MRF1000MA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1000MA даташит

 ..1. Size:108K  motorola
 mrf1000ma mrf1000mb.pdf pdf_icon

MRF1000MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1000MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1000MA Power Transistors MRF1000MB . . . designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in the low power stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class A Output Power = 0.2 Watt 0.7 W, 96

 6.1. Size:108K  motorola
 mrf1000m.pdf pdf_icon

MRF1000MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1000MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1000MA Power Transistors MRF1000MB . . . designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in the low power stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class A Output Power = 0.2 Watt 0.7 W, 96

 6.2. Size:164K  macom
 mrf1000mb.pdf pdf_icon

MRF1000MA

MRF1000MB Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 053007 0.7 W, 960 1215 MHz, 18V Features Product Image Guaranteed performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class A Output power 0.2W Minimum gain 10dB 100% tested for load mismatch at all phase angles with 10 1 VSWR Industry standard package Nitride

 7.1. Size:100K  motorola
 mrf10005.pdf pdf_icon

MRF1000MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF10005/D The RF Line Microwave Power Transistor MRF10005 . . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications, such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at high overall duty cycles. Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 Vdc Output Power = 5.0 Watts CW Minimum Gain = 8.5 d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTSC945R, MMBTSC945Y, ST2SD1664U-P, ST2SD1664U-Q, ST2SD1664U-R, MRF534, MRF536, MRF0211LT1, 2SC2655, MRF10070, MRF1029, MRF1030, MRF1031, MRF1032, MRF1035MA, MRF1035MB, MRF10500