Справочник транзисторов. MRF1032

 

Биполярный транзистор MRF1032 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1032
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.85 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19.5(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: CASE244-04
 

 Аналог (замена) для MRF1032

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  motorola
 mrf1032.pdf pdf_icon

MRF1032

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1032/DThe RF LineUHF Power TransistorMRF1032. . . designed primarily for largesignal output and driver amplifier stages to1.0 GHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 25 Volt, 900 MHz Characteristics:Output Power 6.0 WattsPower Gain 6.5 dB Min, Class AB6.0 W, TO 1.0 GHzLI

 0.1. Size:55K  motorola
 mrf1032r.pdf pdf_icon

MRF1032

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1032/DThe RF LineUHF Power TransistorMRF1032. . . designed primarily for largesignal output and driver amplifier stages to1.0 GHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 25 Volt, 900 MHz Characteristics:Output Power 6.0 WattsPower Gain 6.5 dB Min, Class AB6.0 W, TO 1.0 GHzLI

 8.1. Size:100K  motorola
 mrf1035mbrev0.pdf pdf_icon

MRF1032

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1035MB/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1035MBPower TransistorsDesigned for Class B and C common base amplifier applications in short andlong pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 35 Watts Peak35 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum Gain = 10 dBMIC

 8.2. Size:54K  motorola
 mrf1030r.pdf pdf_icon

MRF1032

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1030/DThe RF LineUHF Power TransistorMRF1030. . . designed primarily for wideband, largesignal output and driver amplifierstages to 1.0 GHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 25 Volt, 900 MHz Characteristics:Output Power 3.0 WattsPower Gain 7.5 dB Min, Class AB3.0 W, TO 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF534 , MRF536 , MRF0211LT1 , MRF1000MA , MRF10070 , MRF1029 , MRF1030 , MRF1031 , SS8050 , MRF1035MA , MRF1035MB , MRF10500 , MRF10501 , MRF1375 , MRF1500 , MRF15030 , MRF15060 .

History: PMBT2907 | 2SC4179 | BFX69A

 

 
Back to Top

 


 
.