MRF1035MA - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF1035MA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF1035MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: CASE332-04

Аналоги (замена) для MRF1035MA

MRF1035MA Datasheet (PDF)

..1. Size:113K motorola
mrf1035ma mrf1035mb.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1035MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1035MAPower TransistorsMRF1035MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 35 Watts Peak35 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum

6.1. Size:100K motorola
mrf1035mbrev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1035MB/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1035MBPower TransistorsDesigned for Class B and C common base amplifier applications in short andlong pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 35 Watts Peak35 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum Gain = 10 dBMIC

6.2. Size:113K motorola
mrf1035m.pdf