MRF1035MB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF1035MB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: CASE332A-03

 Аналоги (замена) для MRF1035MB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1035MB даташит

 ..1. Size:100K  motorola
 mrf1035mb.pdf pdf_icon

MRF1035MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MB/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MB Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MIC

 ..2. Size:113K  motorola
 mrf1035ma mrf1035mb.pdf pdf_icon

MRF1035MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MA Power Transistors MRF1035MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

 0.1. Size:100K  motorola
 mrf1035mbrev0.pdf pdf_icon

MRF1035MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MB/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MB Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MIC

 6.1. Size:113K  motorola
 mrf1035m.pdf pdf_icon

MRF1035MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MA Power Transistors MRF1035MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF0211LT1, MRF1000MA, MRF10070, MRF1029, MRF1030, MRF1031, MRF1032, MRF1035MA, NJW0281G, MRF10500, MRF10501, MRF1375, MRF1500, MRF15030, MRF15060, MRF15060S, MRF15090