MRF1375. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF1375

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1458 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 29 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: CASE355G-01

 Аналоги (замена) для MRF1375

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1375 даташит

 ..1. Size:98K  motorola
 mrf1375.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1375/D The RF Line Microwave Pulse MRF1375 Power Transistor Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TACAN and DME. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 375 Watts Peak 375 W (PEAK), 1025 1150 MHz Gain = 6.7 dB Min 7.5 dB (Typ) MICROWAVE POWER 100% Tested for

 0.1. Size:98K  motorola
 mrf1375r.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1375/D The RF Line Microwave Pulse MRF1375 Power Transistor Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TACAN and DME. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 375 Watts Peak 375 W (PEAK), 1025 1150 MHz Gain = 6.7 dB Min 7.5 dB (Typ) MICROWAVE POWER 100% Tested for

 8.1. Size:196K  motorola
 mrf137.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF137/D The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF137 . . . designed for wideband large signal output and driver stages up to 400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance Output Power = 30 Watts Minimum Gain = 13 dB 30 W, to 400 MHz Efficiency 60% (Typical)

 8.2. Size:196K  motorola
 mrf137re.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF137/D The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF137 . . . designed for wideband large signal output and driver stages up to 400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance Output Power = 30 Watts Minimum Gain = 13 dB 30 W, to 400 MHz Efficiency 60% (Typical)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1029, MRF1030, MRF1031, MRF1032, MRF1035MA, MRF1035MB, MRF10500, MRF10501, TIP2955, MRF1500, MRF15030, MRF15060, MRF15060S, MRF15090, MRF16030, MRF2000-5L, MRF20030