Справочник транзисторов. MRF1375

 

Биполярный транзистор MRF1375 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1375
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1458 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 29 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: CASE355G-01
 

 Аналог (замена) для MRF1375

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  motorola
 mrf1375.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1375/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1375Power TransistorDesigned for 10251150 MHz pulse common base amplifier applicationssuch as TACAN and DME. Guaranteed Performance @ 1090 MHzOutput Power = 375 Watts Peak375 W (PEAK), 10251150 MHzGain = 6.7 dB Min 7.5 dB (Typ)MICROWAVE POWER 100% Tested for

 0.1. Size:98K  motorola
 mrf1375r.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1375/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1375Power TransistorDesigned for 10251150 MHz pulse common base amplifier applicationssuch as TACAN and DME. Guaranteed Performance @ 1090 MHzOutput Power = 375 Watts Peak375 W (PEAK), 10251150 MHzGain = 6.7 dB Min 7.5 dB (Typ)MICROWAVE POWER 100% Tested for

 8.1. Size:196K  motorola
 mrf137.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF137/DThe RF MOSFET LineRF Power Field-Effect TransistorNChannel EnhancementMode MRF137. . . designed for wideband largesignal output and driver stages up to400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz PerformanceOutput Power = 30 WattsMinimum Gain = 13 dB30 W, to 400 MHzEfficiency 60% (Typical)

 8.2. Size:196K  motorola
 mrf137re.pdf pdf_icon

MRF1375

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF137/DThe RF MOSFET LineRF Power Field-Effect TransistorNChannel EnhancementMode MRF137. . . designed for wideband largesignal output and driver stages up to400 MHz range. Guaranteed 28 Volt, 150 MHz PerformanceOutput Power = 30 WattsMinimum Gain = 13 dB30 W, to 400 MHzEfficiency 60% (Typical)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF1029 , MRF1030 , MRF1031 , MRF1032 , MRF1035MA , MRF1035MB , MRF10500 , MRF10501 , 2SD669 , MRF1500 , MRF15030 , MRF15060 , MRF15060S , MRF15090 , MRF16030 , MRF2000-5L , MRF20030 .

History: DSA5001

 

 
Back to Top

 


 
.