Справочник транзисторов. MRF20030

 

Биполярный транзистор MRF20030 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF20030
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: CASE395D-03
 

 Аналог (замена) для MRF20030

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF20030 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  motorola
 mrf20030.pdf pdf_icon

MRF20030

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF20030/DThe RF SubMicron Bipolar LineMRF20030RF Power Bipolar TransistorDesigned for broadband commercial and industrial applications at frequen-cies from 1800 to 2000 MHz. The high gain and broadband performance of thisdevice makes it ideal for largesignal, commonemitter class A and class AB30 W, 2.0 GHz

 0.1. Size:111K  motorola
 mrf20030rev1.pdf pdf_icon

MRF20030

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF20030/DThe RF SubMicron Bipolar LineMRF20030RF Power Bipolar TransistorDesigned for broadband commercial and industrial applications at frequen-cies from 1800 to 2000 MHz. The high gain and broadband performance of thisdevice makes it ideal for largesignal, commonemitter class A and class AB30 W, 2.0 GHz

 8.1. Size:111K  motorola
 mrf2000-5l.pdf pdf_icon

MRF20030

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF20005L/DThe RF LineMicrowave LinearMRF2000-5LPower TransistorDesigned primarily for wideband, large signal output and driver amplifierstages in the 1.0 to 2.0 GHz frequency range. Designed for Class A or AB, Common Emitter Power Amplifiers7.08.0 dB GAIN Specified 20 Volt, 2.0 GHz Characteristic Powe

 8.2. Size:111K  motorola
 mrf2000-.pdf pdf_icon

MRF20030

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF20005L/DThe RF LineMicrowave LinearMRF2000-5LPower TransistorDesigned primarily for wideband, large signal output and driver amplifierstages in the 1.0 to 2.0 GHz frequency range. Designed for Class A or AB, Common Emitter Power Amplifiers7.08.0 dB GAIN Specified 20 Volt, 2.0 GHz Characteristic Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF1375 , MRF1500 , MRF15030 , MRF15060 , MRF15060S , MRF15090 , MRF16030 , MRF2000-5L , D667 , MRF20060 , MRF20060S , MRF2947AT1 , MRF2947AT2 , MRF2947RAT1 , MRF2947RAT2 , MRF3094 , MRF3095 .

 

 
Back to Top

 


 
.