MRF8372R2 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF8372R2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF8372R2
   Маркировка: 8372
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SO8

 Аналоги (замена) для MRF8372R2

 

MRF8372R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

 6.1. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

 8.1. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

 8.2. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF6402 , MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , TIP41 , MRF847 , MRF857 , MRF858 , MRF858S , MRF859 , MRF859S , MRF860 , MRF861 .

History: MPQ3053 | BFX60 | MT4S03BU | SMUN5233DW | GD241A

 

 
Back to Top

 


 
.