MRF8372R2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF8372R2  📄📄 

Маркировка: 8372

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SO8

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF8372R2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF8372R2 даташит

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

 6.1. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF8372/D The RF Line NPN Silicon MRF8372R1, R2 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSIS

 8.1. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

 8.2. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF837/D The RF Line NPN Silicon MRF837 RF Low Power Transistor MRF8372, R1, R2 Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW 750 mW, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF6402, MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409, MRF653S, MRF837, MRF8372R1, TIP41, MRF847, MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859, MRF859S, MRF860, MRF861