Справочник транзисторов. MRF8372R2

 

Биполярный транзистор MRF8372R2 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF8372R2
   Маркировка: 8372
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SO8
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF8372R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

 6.1. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

 8.1. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

 8.2. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF8372R2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ME0803 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.