Биполярный транзистор MRF857 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF857
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE305-01
Аналог (замена) для MRF857
MRF857 Datasheet (PDF)
mrf857 mrf857s.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineMRF857NPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characterist
mrf857rev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineNPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics2.1
mrf857re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineMRF857NPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characterist
mrf857s.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineNPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics2.1
Другие транзисторы... MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , MRF847 , D882 , MRF858 , MRF858S , MRF859 , MRF859S , MRF860 , MRF861 , MRF862 , MRF880 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor