MRF857 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF857 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF857
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: CASE305-01

Аналоги (замена) для MRF857

MRF857 Datasheet (PDF)

..1. Size:150K motorola
mrf857 mrf857s.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineMRF857NPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characterist

0.1. Size:103K motorola
mrf857rev3.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineNPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics2.1

0.2. Size:150K motorola
mrf857re.pdf