MRF858S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF858S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE319A-02
MRF858S Datasheet (PDF)
mrf858 mrf858s.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF858/D The RF Line MRF858 NPN Silicon MRF858S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.5 Adc Characterist
mrf858re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF858/D The RF Line MRF858 NPN Silicon MRF858S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.5 Adc Characterist
mrf857rev3.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics 2.1
mrf859re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF859/D The RF Line MRF859 NPN Silicon MRF859S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear CLASS A amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the 800 960 MHz range of 800 to 960 MHz. 6.5 W (CW), 24 V Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0
Другие транзисторы... MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , MRF847 , MRF857 , MRF858 , 2SA1943 , MRF859 , MRF859S , MRF860 , MRF861 , MRF862 , MRF880 , MRF890 , MRF892 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06