Биполярный транзистор MRF860 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF860
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 71 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE395B-01
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF860 Datasheet (PDF)
mrf860.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF860/DThe RF LineNPN SiliconMRF860RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 1.9 Adc Characteristics13.7
mrf860re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF860/DThe RF LineNPN SiliconMRF860RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 1.9 Adc Characteristics13.7
mrf862 .pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF862/DThe RF LineNPN SiliconMRF862RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz. CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 5 Adc Characteristics36 W (C
mrf861.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF861/DThe RF LineNPN SiliconMRF861RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 3.75 Adc Characteristics27
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: ED1701L | FTD2114K | KTC3228 | D882-R-TD3T | SMUN5335DW | UMB6N | ZTX214CM
History: ED1701L | FTD2114K | KTC3228 | D882-R-TD3T | SMUN5335DW | UMB6N | ZTX214CM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent