MRF860 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF860 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 71 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: CASE395B-01
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MRF860
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF860 даташит
mrf860.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF860/D The RF Line NPN Silicon MRF860 RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 1.9 Adc Characteristics 13.7
mrf860re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF860/D The RF Line NPN Silicon MRF860 RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 1.9 Adc Characteristics 13.7
mrf862 .pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF862/D The RF Line NPN Silicon MRF862 RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 5 Adc Characteristics 36 W (C
mrf861.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF861/D The RF Line NPN Silicon MRF861 RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 3.75 Adc Characteristics 27
Другие транзисторы: MRF8372R1, MRF8372R2, MRF847, MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859, MRF859S, 13007, MRF861, MRF862, MRF880, MRF890, MRF892, MRF896, MRF898, MRF911
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent







