MRF880 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF880  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: CASE375A-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF880

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF880 даташит

 ..1. Size:142K  motorola
 mrf880.pdf pdf_icon

MRF880

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF880/D The RF Line NPN Silicon MRF880 RF Power Transistor Designed for 26 V UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz Characteristics Output Power = 90 Watts 90 W, 900 MHz Ga

 0.1. Size:142K  motorola
 mrf880re.pdf pdf_icon

MRF880

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF880/D The RF Line NPN Silicon MRF880 RF Power Transistor Designed for 26 V UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz Characteristics Output Power = 90 Watts 90 W, 900 MHz Ga

Другие транзисторы: MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859, MRF859S, MRF860, MRF861, MRF862, D882, MRF890, MRF892, MRF896, MRF898, MRF911, MRF917T1, MRF927T1, MRF927T3