Биполярный транзистор MRF880 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF880
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE375A-01
MRF880 Datasheet (PDF)
mrf880.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF880/DThe RF LineNPN SiliconMRF880RF Power TransistorDesigned for 26 V UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz CharacteristicsOutput Power = 90 Watts90 W, 900 MHzGa
mrf880re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF880/DThe RF LineNPN SiliconMRF880RF Power TransistorDesigned for 26 V UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz CharacteristicsOutput Power = 90 Watts90 W, 900 MHzGa
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050