Биполярный транзистор MRF880 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF880
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE375A-01
MRF880 Datasheet (PDF)
mrf880.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF880/DThe RF LineNPN SiliconMRF880RF Power TransistorDesigned for 26 V UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz CharacteristicsOutput Power = 90 Watts90 W, 900 MHzGa
mrf880re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF880/DThe RF LineNPN SiliconMRF880RF Power TransistorDesigned for 26 V UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz CharacteristicsOutput Power = 90 Watts90 W, 900 MHzGa
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
