MRF880 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF880
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: CASE375A-01
MRF880 Datasheet (PDF)
mrf880.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF880/D The RF Line NPN Silicon MRF880 RF Power Transistor Designed for 26 V UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz Characteristics Output Power = 90 Watts 90 W, 900 MHz Ga
mrf880re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF880/D The RF Line NPN Silicon MRF880 RF Power Transistor Designed for 26 V UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 V, 900 MHz Characteristics Output Power = 90 Watts 90 W, 900 MHz Ga
Другие транзисторы... MRF857 , MRF858 , MRF858S , MRF859 , MRF859S , MRF860 , MRF861 , MRF862 , D882 , MRF890 , MRF892 , MRF896 , MRF898 , MRF911 , MRF917T1 , MRF927T1 , MRF927T3 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor