Биполярный транзистор MRF917T1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF917T1
Маркировка: K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.222 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.54 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT323
MRF917T1 Datasheet (PDF)
mrf917t1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAfrom RF MarketingThe RF Small Signal LineMRF917T1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorsDesigned for low noise, wide dynamic range front end amplifiers, atLOW NOISEfrequencies to 1.5 GHz. Specifically aimed at portable communication devicesHIGH FREQUENCYsuch as pagers and handheld phones.TRANSISTOR Small, Sur
mrf917t1rev0mds.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAfrom RF MarketingThe RF Small Signal LineMRF917T1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorsDesigned for low noise, wide dynamic range front end amplifiers, atLOW NOISEfrequencies to 1.5 GHz. Specifically aimed at portable communication devicesHIGH FREQUENCYsuch as pagers and handheld phones.TRANSISTOR Small, Sur
mrf9180.pdf
Document Number: MRF9180Freescale SemiconductorRev. 10, 5/2006Technical DataRF Power Field Effect TransistorN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETMRF9180R6Designed for broadband commercial and industrial applications withfrequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performanceof this device make it ideal for large- signal, common- source amplifierapplicati
mrf9135l.pdf
Document Number: MRF9135LFreescale SemiconductorRev. 8, 5/2006Technical DataRF Power Field Effect TransistorsN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETsDesigned for broadband commercial and industrial applications withMRF9135LR3frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performanceMRF9135LSR3of these devices make them ideal for large-signal, common-source am
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS