MRF917T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF917T1

Маркировка: K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.222 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.54 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MRF917T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF917T1 даташит

 ..1. Size:252K  motorola
mrf917t1.pdfpdf_icon

MRF917T1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA from RF Marketing The RF Small Signal Line MRF917T1 NPN Silicon High-Frequency Transistors Designed for low noise, wide dynamic range front end amplifiers, at LOW NOISE frequencies to 1.5 GHz. Specifically aimed at portable communication devices HIGH FREQUENCY such as pagers and hand held phones. TRANSISTOR Small, Sur

 0.1. Size:252K  motorola
mrf917t1rev0mds.pdfpdf_icon

MRF917T1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA from RF Marketing The RF Small Signal Line MRF917T1 NPN Silicon High-Frequency Transistors Designed for low noise, wide dynamic range front end amplifiers, at LOW NOISE frequencies to 1.5 GHz. Specifically aimed at portable communication devices HIGH FREQUENCY such as pagers and hand held phones. TRANSISTOR Small, Sur

 9.1. Size:78K  motorola
mrf911.pdfpdf_icon

MRF917T1

 9.2. Size:309K  freescale
mrf9180.pdfpdf_icon

MRF917T1

Document Number MRF9180 Freescale Semiconductor Rev. 10, 5/2006 Technical Data RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET MRF9180R6 Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large- signal, common- source amplifier applicati

Другие транзисторы: MRF861, MRF862, MRF880, MRF890, MRF892, MRF896, MRF898, MRF911, TIP31C, MRF927T1, MRF927T3, MRF949T1, MRF959T1, NT407F, 2SA812-M4, 2SA812-M5, 2SA812-M6