3DD13003F6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003F6  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003F6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003F6 даташит

 ..1. Size:150K  wuxi china
 3dd13003f6.pdf pdf_icon

3DD13003F6

 0.1. Size:151K  crhj
 3dd13003f6d.pdf pdf_icon

3DD13003F6

 5.1. Size:149K  crhj
 3dd13003f3d.pdf pdf_icon

3DD13003F6

NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

 5.2. Size:182K  crhj
 3dd13003f1d.pdf pdf_icon

3DD13003F6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SS8550L, SS8550-Y2-H, SS8550-Y2-J, SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, 2SC4617S, BD336, B772E, B772Q, D882E, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1