SEBC847CU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SEBC847CU  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SEBC847CU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SEBC847CU даташит

 ..1. Size:200K  cn sino-ic
 sebc847bu sebc847cu.pdf pdf_icon

SEBC847CU

SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision A External dimensions (Units mm) Features BVCEO

Другие транзисторы: MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1, PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, 2SC5198, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D, SEBT818BA, SEBT9012, SEBT9013, SEBT9014