Справочник транзисторов. SEBT818BA

 

Биполярный транзистор SEBT818BA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SEBT818BA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для SEBT818BA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SEBT818BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  cn sino-ic
 sebt818ba.pdf pdf_icon

SEBT818BA

SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR

 9.1. Size:509K  cn sino-ic
 sebt8050-c sebt8050-d.pdf pdf_icon

SEBT818BA

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA

Другие транзисторы... PXT8550D2 , S8550E , SEBC847BU , SEBC847CU , SEBT3904U , SEBT3906U , SEBT8050-C , SEBT8050-D , SS8050 , SEBT9012 , SEBT9013 , SEBT9014 , SEBT9015 , SEBT9016 , SEBT9018 , SS8050B , SS8050C .

History: 2SA923-1 | 2SC5887

 

 
Back to Top

 


 
.