SEBT818BA Todos los transistores

 

SEBT818BA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SEBT818BA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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SEBT818BA Datasheet (PDF)

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SEBT818BA

SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR

 9.1. Size:509K  cn sino-ic
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SEBT818BA

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA

Otros transistores... PXT8550D2 , S8550E , SEBC847BU , SEBC847CU , SEBT3904U , SEBT3906U , SEBT8050-C , SEBT8050-D , SS8050 , SEBT9012 , SEBT9013 , SEBT9014 , SEBT9015 , SEBT9016 , SEBT9018 , SS8050B , SS8050C .

History: KSR2206

 

 
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