SEBT818BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SEBT818BA  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23-6L

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SEBT818BA datasheet

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SEBT818BA

SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR

 9.1. Size:509K  cn sino-ic
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SEBT818BA

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050 Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA

Otros transistores... PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, SEBC847CU, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D, 2N4401, SEBT9012, SEBT9013, SEBT9014, SEBT9015, SEBT9016, SEBT9018, SS8050B, SS8050C