Справочник транзисторов. 2SD661A

 

Биполярный транзистор 2SD661A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD661A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SC71
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

2SD661A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  1
2sd661a.pdf pdf_icon

2SD661A
2SD661A

Transistor2SD661, 2SD661ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency and low-noise amplificationUnit: mm6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesLow noise voltage NV.High foward current transfer ratio hFE.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.850.55 0.1 0.45 0.05Abso

 8.1. Size:55K  panasonic
2sd661 e.pdf pdf_icon

2SD661A
2SD661A

Transistor2SD661, 2SD661ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency and low-noise amplificationUnit: mm6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesLow noise voltage NV.High foward current transfer ratio hFE.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.850.55 0.1 0.45 0.05Abso

 8.2. Size:51K  panasonic
2sd661.pdf pdf_icon

2SD661A
2SD661A

Transistor2SD661, 2SD661ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency and low-noise amplificationUnit: mm6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesLow noise voltage NV.High foward current transfer ratio hFE.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.850.55 0.1 0.45 0.05Abso

 9.1. Size:39K  1
2sd662b.pdf pdf_icon

2SD661A
2SD661A

Transistor2SD662, 2SD662BSilicon NPN epitaxial planer typeFor high breakdown voltage general amplificationUnit: mm6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0Features R0.9High collector to emitter voltage VCEO.High transition frequency fT.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.85Absolute Maximum

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top