Аналоги 2SA200-O. Основные параметры
Наименование производителя: 2SA200-O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SA200-O
2SA200-O даташит
2sa200-y 2sa200-o.pdf
ST 2SA200 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose and switching amplifier The transistor is subdivided into two group, O and Y according to its DC current gain. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 60 V Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO
2sa2007.pdf
2SA2007 Transistors High-speed Switching Transistor (-60V,-12A) 2SA2007 External dimensions (Units mm) Features 1) High switching speed. 10.0 4.5 (Typ. tf = 0.15 s at Ic = -6A) 3.2 2.8 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) = -0.2V at IC / IB = -6A / -0.3A) 3) Wide SOA. (safe operating area) 1.2 1.3 4) Complements the 2SC5526. 0.8 ( ) (1) Base Gate 0.75 2.54 2.5
2sa2005.pdf
2SA2005 Transistors High-voltage Switching (Audio output amplifier transistor, TV velocity modulation transistor) (-160V, -1.5A) 2SA2005 Features External dimensions (Units mm) 1) Flat DC current gain characteristics. 2) High breakdown voltage. (BVCEO = -160V) 10.0 4.5 3) High fT. (Typ. 150MHz) 3.2 2.8 4) Wide SOA (safe operating area). 5) Complements the 2SC5511. 1.2 1.
2sa2004.pdf
Power Transistors 2SA2004 Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 4.6 0.2 For power amplification 9.9 0.3 2.9 0.2 3.2 0.1 Features High forward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Dielectric breakdown voltage of the package > 5 kV High-speed switching 1.4 0.2 2.6 0.1 1.6 0.2 0.8 0.1 0.55 0.15
Другие транзисторы... 2SC3357-E , 2SC3357-F , 2SC4226-R23 , 2SC945-H , 2SC945-L , 2SD882-E , 2SD882-P , 2SD882-Q , TIP41C , 2SA200-Y , SBT42 , GA1A4M , , , , , .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet







