GA1L4Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GA1L4Z  📄📄 

Маркировка: L61_L62_L63

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GA1L4Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GA1L4Z даташит

 ..1. Size:161K  1
 ga1l4z.pdf pdf_icon

GA1L4Z

Другие транзисторы: 2SC945-L, 2SD882-E, 2SD882-P, 2SD882-Q, 2SA200-O, 2SA200-Y, SBT42, GA1A4M, TIP41C