2SA1359O - описание и поиск аналогов

 

2SA1359O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1359O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SA1359O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1359O даташит

 7.1. Size:179K  toshiba
 2sa1359.pdf pdf_icon

2SA1359O

 7.2. Size:200K  jmnic
 2sa1359.pdf pdf_icon

2SA1359O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1359 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC3422 Good linearity of hFE APPLICATIONS Audio frequency amplifier Low speed switching Suitable for output stage of 5W car radio and car stereo PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolu

 7.3. Size:249K  lzg
 2sa1359 3ca1359.pdf pdf_icon

2SA1359O

 7.4. Size:196K  inchange semiconductor
 2sa1359.pdf pdf_icon

2SA1359O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1359 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V (Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3422 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1356Y, 2SA1357, 2SA1357O, 2SA1357Y, 2SA1358, 2SA1358O, 2SA1358Y, 2SA1359, TIP142, 2SA1359Y, 2SA136, 2SA1360, 2SA1360O, 2SA1360Y, 2SA1361, 2SA1362, 2SA1363

 

 

 

 

↑ Back to Top
.