17322 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 17322  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 17322

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

17322 даташит

 0.1. Size:825K  texas
 csd17322q5a.pdf pdf_icon

17322

CSD17322Q5A www.ti.com SLPS330 JUNE 2011 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17322Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC Avalanche Rated VGS = 4.5V 10 m RDS(on) Dra

Другие транзисторы: 1664, 16656, 16668, 16810, 16811, 16924, 1701, 1702, NJW0281G, 17323, 17375, 17389, 17390, 17391, 17484, 17520, 17521