2SA1624 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1624  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1624

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1624 даташит

 ..1. Size:128K  sanyo
 2sa1624.pdf pdf_icon

2SA1624

 8.1. Size:102K  1
 2sa1623.pdf pdf_icon

2SA1624

 8.2. Size:184K  toshiba
 2sa1620.pdf pdf_icon

2SA1624

2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -300 mA Base current IB -60

 8.3. Size:194K  toshiba
 2sa1621.pdf pdf_icon

2SA1624

2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1617, 2SA1618, 2SA1619, 2SA162, 2SA1620, 2SA1621, 2SA1622, 2SA1623, BC639, 2SA1625, 2SA1626, 2SA1627, 2SA1628, 2SA1629, 2SA163, 2SA1630, 2SA1633