2SA1693P - описание и поиск аналогов

 

2SA1693P - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SA1693P
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SA1693P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1693P - технические параметры

 7.1. Size:123K  utc
2sa1693.pdfpdf_icon

2SA1693P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1693 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1693 is a silicon PNP epitaxial planar transistor, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high DC current gain and high collector-base breakdown voltage, etc. The UTC 2SA1693 is suitable for audio and ge

 7.2. Size:191K  jmnic
2sa1693.pdfpdf_icon

2SA1693P

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1693 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC4466 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:27K  sanken-ele
2sa1693.pdfpdf_icon

2SA1693P

2SA1693 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4466) Application Audio and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 VCBO 80 V ICBO VCB= 80V 10max A 0.1 9.6 2.0 IEBO VCEO 80 V VEB= 6V

 7.4. Size:222K  inchange semiconductor
2sa1693.pdfpdf_icon

2SA1693P

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1693 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC4466 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

Другие транзисторы... 2SA1688-5 , 2SA1689 , 2SA168A , 2SA169 , 2SA1690 , 2SA1692 , 2SA1693 , 2SA1693O , BC546 , 2SA1693Y , 2SA1694 , 2SA1694O , 2SA1694P , 2SA1694Y , 2SA1695 , 2SA1695O , 2SA1695P .

History: 2N741A

 

 
Back to Top

 


 
.