2SA171 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA171  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA171

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA171 даташит

 0.1. Size:148K  sanyo
2sa1710 2sc4490.pdfpdf_icon

2SA171

Ordering number EN3097 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1710/2SC4490 High-Definition CRT Display Video Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO 300V). unit mm Excellent high frequency characteristic. 2064 Adoption of MBIT process. [2SA1710/2SC4490] E Emitter C Collector B Base ( ) 2SA1710 SANYO NMP Spec

 0.2. Size:141K  nec
2sa1714.pdfpdf_icon

2SA171

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SA1714 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1714 is a high-speed darlington power transistor. This PACKAGE DRAWING (UNIT mm) transistor is ideal for high-precision control such as PWM control for pulse mortors or blushless mortor of OA and FA equipment. FEATURES High DC current amplifiers due

 0.3. Size:153K  jmnic
2sa1718.pdfpdf_icon

2SA171

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1718 DESCRIPTION With TO-220F package High DC current gain. Low collector saturation voltage. DARLINGTON APPLICATIONS Ideal for motor drviers and solenoid drivers application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings

 0.4. Size:190K  inchange semiconductor
2sa1718.pdfpdf_icon

2SA171

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1718 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = -0.5(V)(Max)@I = -2A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo

Другие транзисторы: 2SA1702, 2SA1703, 2SA1704, 2SA1705, 2SA1706, 2SA1707, 2SA1708, 2SA1709, NJW0281G, 2SA1710, 2SA1711, 2SA1712, 2SA172, 2SA1721, 2SA1722, 2SA1724, 2SA1725