2SA1811 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1811  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1811

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1811 даташит

 ..1. Size:173K  toshiba
2sa1811.pdfpdf_icon

2SA1811

 8.1. Size:84K  sanyo
2sa1814.pdfpdf_icon

2SA1811

Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

 8.2. Size:70K  sanyo
2sa1815.pdfpdf_icon

2SA1811

Ordering number EN4625 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1815 FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions High power gain PG=25dB (f=100MHz). unit mm High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. 2018A Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1815] Complementary pair with the 2SC4432. C C

 8.3. Size:83K  sanyo
2sa1813.pdfpdf_icon

2SA1811

Ordering number EN3972 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1813 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1813- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2059A Adoption of FBET process. [2SA1813] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

Другие транзисторы: 2SA1805, 2SA1805O, 2SA1805R, 2SA1806, 2SA181, 2SA1810, 2SA1810B, 2SA1810C, TIP31, 2SA1815, 2SA1815-3, 2SA1815-4, 2SA1815-5, 2SA182, 2SA1822, 2SA183, 2SA1832