2SA218 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SA218 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45
Корпус транзистора: TO44
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SA218
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA218 даташит
2sa2184.pdf
2SA2184 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2184 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -550 V High speed tf = 40 ns (typ.) (IC = -0.5A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -550 V Collector-emitter voltage VCEO -550 V Emitter-base voltage VEBO -7 V DC IC -1
2sa2183.pdf
2SA2183 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2183 High Current Switching Applications Unit mm Low collector-emitter saturation VCE(sat) = -1.0 V max Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -60 V Emitter-base voltage VEBO -7 V DC IC -5.0 A Collector current
2sa2182.pdf
2SA2182 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2182 Unit mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency fT = 80 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO - 230 V Collector-emitter voltage VCEO - 230 V Emitter-base voltage VEBO - 5 V DC IC - 1.0 A
2sa2186.pdf
Ordering number ENA0269 2SA2186 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA2186 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT processes. High current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Rat
Другие транзисторы: 2SA212, 2SA212H, 2SA213, 2SA214, 2SA215, 2SA216, 2SA217, 2SA217H, TIP122, 2SA219, 2SA22, 2SA220, 2SA221, 2SA222, 2SA223, 2SA224, 2SA225
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement






