2SA221 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA221  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO44

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA221

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA221 даташит

 0.1. Size:165K  toshiba
 2sa2219.pdf pdf_icon

2SA221

2SA2219 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2219 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm High collector voltage VCEO = 160 V (min) Small collector output capacitance Cob = 17pF (typ.) High transition frequency fT = 100MHz (typ.) Complementary to 2SC6139 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit

 0.2. Size:125K  toshiba
 2sa2215.pdf pdf_icon

2SA221

2SA2215 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2215 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) 1 High-speed switching tf = 40 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Rati

 0.3. Size:126K  toshiba
 2sa2214.pdf pdf_icon

2SA221

2SA2214 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2214 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -1.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.14 V (max) 1 High-speed switching tf = 37 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Rati

 0.4. Size:53K  sanyo
 2sa2210.pdf pdf_icon

2SA221

Ordering number ENA0667 2SA2210 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA2210 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA215, 2SA216, 2SA217, 2SA217H, 2SA218, 2SA219, 2SA22, 2SA220, TIP3055, 2SA222, 2SA223, 2SA224, 2SA225, 2SA226, 2SA227, 2SA228, 2SA229