2SA473G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA473G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA473G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA473G даташит

 8.1. Size:69K  wingshing
 2sa473.pdf pdf_icon

2SA473G

2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun

 8.2. Size:221K  inchange semiconductor
 2sa473.pdf pdf_icon

2SA473G

Другие транзисторы: 2SA467G, 2SA468, 2SA469, 2SA47, 2SA470, 2SA471, 2SA472, 2SA473, 2N5401, 2SA473O, 2SA473R, 2SA473Y, 2SA474, 2SA475, 2SA476, 2SA477, 2SA478