2SA50 - описание и поиск аналогов

 

2SA50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA50

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SA50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA50 даташит

 0.1. Size:756K  1
 2sa509.pdf pdf_icon

2SA50

 0.2. Size:94K  toshiba
 2sa496 2sa505.pdf pdf_icon

2SA50

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.3. Size:306K  vishay
 vs-fa72sa50lc.pdf pdf_icon

2SA50

VS-FA72SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 72 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 0.4. Size:214K  inchange semiconductor
 2sa505.pdf pdf_icon

2SA50

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.8V (Max.)@ I = -500mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA496R, 2SA496Y, 2SA497, 2SA498, 2SA499, 2SA499O, 2SA499R, 2SA499Y, 13005, 2SA500, 2SA500O, 2SA500R, 2SA500Y, 2SA501, 2SA502, 2SA503, 2SA503G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.