2SA506 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA506

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 2SA506

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA506 даташит

 9.1. Size:756K  1
 2sa509.pdf pdf_icon

2SA506

 9.2. Size:94K  toshiba
 2sa496 2sa505.pdf pdf_icon

2SA506

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:306K  vishay
 vs-fa72sa50lc.pdf pdf_icon

2SA506

VS-FA72SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 72 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.4. Size:214K  inchange semiconductor
 2sa505.pdf pdf_icon

2SA506

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.8V (Max.)@ I = -500mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA504, 2SA504G, 2SA504O, 2SA504Y, 2SA505, 2SA505O, 2SA505R, 2SA505Y, MPSA42, 2SA507, 2SA508, 2SA509, 2SA509G, 2SB562-C, 2SA509GTM, 2SA509O, 2SA509Y