Справочник транзисторов. 2SA506

 

Биполярный транзистор 2SA506 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA506
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA506 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:756K  1
2sa509.pdfpdf_icon

2SA506

 9.2. Size:94K  toshiba
2sa496 2sa505.pdfpdf_icon

2SA506

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:306K  vishay
vs-fa72sa50lc.pdfpdf_icon

2SA506

VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.4. Size:214K  inchange semiconductor
2sa505.pdfpdf_icon

2SA506

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SA826 | EMX3FHA

 

 
Back to Top

 


 
.