Справочник транзисторов. 2SA509

 

Биполярный транзистор 2SA509 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA509

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 2SA509

 

 

2SA509 Datasheet (PDF)

9.1. 2sa496 2sa505.pdf Size:94K _toshiba

2SA509 2SA509

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

9.2. vs-fa72sa50lc.pdf Size:306K _vishay

2SA509 2SA509

VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.3. 2sa505.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

2SA509 2SA509

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO

Другие транзисторы... 2SA504Y , 2SA505 , 2SA505O , 2SA505R , 2SA505Y , 2SA506 , 2SA507 , 2SA508 , S8550 , 2SA509G , 2SB562-C , 2SA509GTM , 2SA509O , 2SA509Y , 2SA51 , 2SA510 , 2SA510O .

 

 
Back to Top