2SA509G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA509G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA509G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA509G даташит

 8.1. Size:756K  1
 2sa509.pdf pdf_icon

2SA509G

 9.1. Size:94K  toshiba
 2sa496 2sa505.pdf pdf_icon

2SA509G

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:306K  vishay
 vs-fa72sa50lc.pdf pdf_icon

2SA509G

VS-FA72SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 72 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sa505.pdf pdf_icon

2SA509G

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.8V (Max.)@ I = -500mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA505, 2SA505O, 2SA505R, 2SA505Y, 2SA506, 2SA507, 2SA508, 2SA509, TIP32C, 2SB562-C, 2SA509GTM, 2SA509O, 2SA509Y, 2SA51, 2SA510, 2SA510O, 2SA510R