Биполярный транзистор 2SA509G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA509G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
2SA509G Datasheet (PDF)
2sa496 2sa505.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
vs-fa72sa50lc.pdf
VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for
2sa505.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO
Другие транзисторы... 2SA505 , 2SA505O , 2SA505R , 2SA505Y , 2SA506 , 2SA507 , 2SA508 , 2SA509 , 2SC1740 , 2SB562-C , 2SA509GTM , 2SA509O , 2SA509Y , 2SA51 , 2SA510 , 2SA510O , 2SA510R .
