2SA510O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA510O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA510O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA510O даташит

 9.1. Size:279K  onsemi
 2sa5153.pdf pdf_icon

2SA510O

2SA2153 Bipolar Transistor -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single www.onsemi.com Features Adoption of MBIT Process Low Saturation Voltage Large Current Capacity and Wide ASO ELECTRICAL CONNECTION 2 Typical Applications Voltage Regulators 1 Base 1 2 Collector Relay Drivers 3 Emitter Lamp Drivers Electrical Equipment 3 SPECIFICATIONS M

Другие транзисторы: 2SA509, 2SA509G, 2SB562-C, 2SA509GTM, 2SA509O, 2SA509Y, 2SA51, 2SA510, D667, 2SA510R, 2SA511, 2SA511O, 2SA511R, 2SA512, 2SA512O, 2SA512R, 2SA513