2SA629 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA629

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA629

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA629 даташит

 9.1. Size:145K  jmnic
 2sa626.pdf pdf_icon

2SA629

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability IC=-6A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.2. Size:145K  jmnic
 2sa627.pdf pdf_icon

2SA629

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability IC=-7A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.3. Size:212K  inchange semiconductor
 2sa626.pdf pdf_icon

2SA629

isc Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier and low speed switching Suitable f

 9.4. Size:215K  inchange semiconductor
 2sa627.pdf pdf_icon

2SA629

isc Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier and low speed switching Suitable f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA622, 2SA623, 2SA624, 2SA625, 2SA626, 2SA627, 2SA628, 2SA628A, B772, 2SA631, 2SA633, 2SA634, 2SA634L, 2SA634Z, 2SA635, 2SA636, 2SA636A