2SA647 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA647

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для 2SA647

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA647 даташит

 9.1. Size:39K  no
 2sa641.pdf pdf_icon

2SA647

 9.2. Size:82K  usha
 2sa642.pdf pdf_icon

2SA647

Transistors 2SA642

 9.3. Size:82K  usha
 2sa643.pdf pdf_icon

2SA647

Transistors 2SA643

 9.4. Size:189K  inchange semiconductor
 2sa648.pdf pdf_icon

2SA647

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA639S, 2SA64, 2SA640, 2SA641, 2SA642, 2SA643, 2SA645, 2SA646, 13005, 2SA648, 2SA649, 2SA65, 2SA650, 2SA651, 2SA652, 2SA653, 2SA653A