Справочник транзисторов. 2SA647

 

Биполярный транзистор 2SA647 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA647
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA647 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:39K  no
2sa641.pdfpdf_icon

2SA647

 9.2. Size:82K  usha
2sa642.pdfpdf_icon

2SA647

Transistors2SA642

 9.3. Size:82K  usha
2sa643.pdfpdf_icon

2SA647

Transistors2SA643

 9.4. Size:189K  inchange semiconductor
2sa648.pdfpdf_icon

2SA647

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MJE13003LF5 | MJE13003M1 | MJE13003M8

 

 
Back to Top

 


 
.