2SA647 Todos los transistores

 

2SA647 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA647
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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2SA647 datasheet

 9.1. Size:39K  no
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 9.2. Size:82K  usha
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Transistors 2SA642

 9.3. Size:82K  usha
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2SA647

Transistors 2SA643

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2SA647

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

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History: 2SB647A-C

 

 

 


 
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