Биполярный транзистор 2SA670 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA670
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 32 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SA670 Datasheet (PDF)
2sa670.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA670 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS Inverters;converters Power amplification Switching regulator ,driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAb
r07ds0430ej 2sa673ak-1.pdf

Preliminary Datasheet R07DS0430EJ04002SA673A(K) (Previous: REJ03G0627-0300)Rev.4.00Silicon PNP Epitaxial Jun 07, 2011Application Low frequency amplifier Medium speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003DA-A(Package name: TO-92 (1))1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitCollect
r07ds0429ej 2sa673 673a-1.pdf

Preliminary Datasheet R07DS0429EJ03002SA673, 2SA673A (Previous: REJ03G0626-0200)Rev.3.00Silicon PNP Epitaxial Jun 07, 2011Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SC1213 and 2SC1213A Outline RENESAS Package code: PRSS0003DA-A(Package name: TO-92 (1))1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item S
2sa675.pdf

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SA675PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR DRIVING FLUORESCENT INDICATOR PANNELThe 2SA675 is a resin sealed mold transistor and is ideal for PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)dynamic drivers of counting indicator pannel such as fluorescentindicator pannel due to high voltage. High voltageVCBO > -80 V, VCER > -80 V Excellent linearity for current of D
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N495-18 | BC158A | BC337 | 2N5832 | 2N5289 | KSD261O | MJE344K
History: 2N495-18 | BC158A | BC337 | 2N5832 | 2N5289 | KSD261O | MJE344K



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032