2SA817AO - описание и поиск аналогов

 

2SA817AO. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA817AO

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA817AO

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA817AO даташит

 7.1. Size:173K  toshiba
 2sa817a.pdf pdf_icon

2SA817AO

 7.2. Size:232K  lge
 2sa817a to-92mod.pdf pdf_icon

2SA817AO

2SA817A TO-92MOD Transistor (PNP) TO-92MOD 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE 5.800 6.200 Features 8.400 8.800 Complementary to 2SC1627A. 0.900 1.100 Driver Stage Application of 30 to 0.400 0.600 35 Watts Amplifiers. 13.800 14.200 1.500 TYP 2.900 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.100 0.000 1.600

 8.1. Size:209K  toshiba
 2sa817.pdf pdf_icon

2SA817AO

2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20 25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA813S2, 2SA813S3, 2SA813S4, 2SA814, 2SA815, 2SA816, 2SA817, 2SA817A, 2N5551, 2SA817AY, 2SA818, 2SA819, 2SA82, 2SA820, 2SA821, 2SA822, 2SA823

 

 

 

 

↑ Back to Top
.