2SA817AO . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA817AO
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA817AO
2SA817AO Datasheet (PDF)
2sa817a to-92mod.pdf
2SA817A TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE 5.8006.200Features 8.4008.800 Complementary to 2SC1627A. 0.9001.100 Driver Stage Application of 30 to 0.4000.60035 Watts Amplifiers. 13.80014.2001.500 TYP2.900 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.1000.000 1.600
2sa817.pdf
2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20~25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -80 VEmitter-base voltage VEB
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
