2SA817AO Todos los transistores

 

2SA817AO Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA817AO
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SA817AO datasheet

 7.1. Size:173K  toshiba
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2SA817AO

 7.2. Size:232K  lge
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2SA817AO

2SA817A TO-92MOD Transistor (PNP) TO-92MOD 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE 5.800 6.200 Features 8.400 8.800 Complementary to 2SC1627A. 0.900 1.100 Driver Stage Application of 30 to 0.400 0.600 35 Watts Amplifiers. 13.800 14.200 1.500 TYP 2.900 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.100 0.000 1.600

 8.1. Size:209K  toshiba
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2SA817AO

2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20 25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEB

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History: OC72

 

 

 


 
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