2SA878 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA878  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 255 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA878

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA878 даташит

 ..1. Size:148K  jmnic
2sa877 2sa878.pdfpdf_icon

2SA878

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA877 2SA878 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute

 ..2. Size:190K  inchange semiconductor
2sa877 2sa878.pdfpdf_icon

2SA878

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA877 2SA878 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Co

 9.1. Size:295K  1
2sa874m 2sa1548.pdfpdf_icon

2SA878

 9.2. Size:296K  1
2sa874 2sa1559.pdfpdf_icon

2SA878

Другие транзисторы: 2SA874, 2SA874M, 2SA876, 2SA876H, 2SA876HA, 2SA876HB, 2SA876HC, 2SA877, C3198, 2SA879, 2SA88, 2SA880, 2SA881, 2SA882, 2SA883, 2SA884, 2SA885