2SA958 - описание и поиск аналогов

 

2SA958. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA958

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SA958

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA958 даташит

 ..1. Size:152K  jmnic
2sa957 2sa958.pdfpdf_icon

2SA958

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA957 2SA958 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation APPLICATIONS For general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SY

 ..2. Size:126K  inchange semiconductor
2sa957 2sa958.pdfpdf_icon

2SA958

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA957 2SA958 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation APPLICATIONS For general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratin

 ..3. Size:199K  inchange semiconductor
2sa958.pdfpdf_icon

2SA958

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA958 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -200V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -200 V CBO V Collector-Emitter Volt

 9.1. Size:192K  toshiba
2sa950.pdfpdf_icon

2SA958

2SA950 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA950 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE 1 W output applications Complementary to 2SC2120 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO

Другие транзисторы... 2SA953 , 2SA954 , 2SA956 , 2SA956H3 , 2SA956H4 , 2SA956H5 , 2SA956H6 , 2SA957 , 2N2222 , 2SA959 , 2SA96 , 2SA962 , 2SA962A , 2SA963 , 2SA964 , 2SA964A , 2SA965 .

History: 2SA957

 

 

 


 
↑ Back to Top
.