2SA958. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA958
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SA958
2SA958 даташит
2sa957 2sa958.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA957 2SA958 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation APPLICATIONS For general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SY
2sa957 2sa958.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA957 2SA958 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage High power dissipation APPLICATIONS For general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratin
2sa958.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA958 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -200V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -200 V CBO V Collector-Emitter Volt
2sa950.pdf
2SA950 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA950 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE 1 W output applications Complementary to 2SC2120 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO
Другие транзисторы... 2SA953 , 2SA954 , 2SA956 , 2SA956H3 , 2SA956H4 , 2SA956H5 , 2SA956H6 , 2SA957 , 2N2222 , 2SA959 , 2SA96 , 2SA962 , 2SA962A , 2SA963 , 2SA964 , 2SA964A , 2SA965 .
History: 2SA957
History: 2SA957
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor












