Справочник транзисторов. 2SA965O

 

Биполярный транзистор 2SA965O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA965O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA965O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:173K  toshiba
 2sa965.pdf pdf_icon

2SA965O

 8.2. Size:78K  secos
 2sa965tm.pdf pdf_icon

2SA965O

2SA965TM -0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Complementary to 2SC2235 A D Power Amplifier Applications BCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y KE FRange 80-160 120-240 CNG H1 Emitter 1112 Collector 2

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sa965.pdf pdf_icon

2SA965O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA965DESCRIPTIONPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -120 VCB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA2062 | 2SC765 | DTC123JEB | NKT108 | CL055P | 2SB443A | 2N5862

 

 
Back to Top

 


 
.