2SA965O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA965O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO92

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2SA965O datasheet

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2SA965O

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2SA965O

2SA965TM -0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Complementary to 2SC2235 A D Power Amplifier Applications B CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y K E F Range 80-160 120-240 C N G H 1 Emitter 1 1 1 2 Collector 2

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SA965O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA965 DESCRIPTION Power amplifier applications Driver stage amplifier applications Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switching and amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -120 V CB

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