2SB1019O - описание и поиск аналогов

 

2SB1019O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1019O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB1019O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1019O даташит

 7.1. Size:45K  no
 2sb1019.pdf pdf_icon

2SB1019O

 7.2. Size:156K  jmnic
 2sb1019.pdf pdf_icon

2SB1019O

 7.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb1019.pdf pdf_icon

2SB1019O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1019 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1412 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1017, 2SB1017O, 2SB1017R, 2SB1017Y, 2SB1018, 2SB1018O, 2SB1018Y, 2SB1019, BC557, 2SB1019Y, 2SB102, 2SB1020, 2SB1021, 2SB1022, 2SB1023, 2SB1024, 2SB1025

 

 

 

 

↑ Back to Top
.