2SB1019O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1019O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SB1019O datasheet

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2SB1019O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1019 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1412 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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